★  Y2110NM是利用硅外延工艺生产的NPN型小功率中压三极管芯片

★ 圆片尺寸：5英寸

★ 利用该芯片封装的三极管典型成品有2SC1815

★ ICM = 150mA，PCM = 400mW（TO-92），Tj：-55-150℃

★ 芯片尺寸：0.35 X 0.35 (mm)2

★ 压焊区尺寸   B区压焊尺寸：D＝100μm

                E区压焊尺寸：D＝100μm

★ 正面电极：铝，厚度3.3μm

★ 表面钝化：SiON

★ 芯片背极：背金(多层金)

   芯片背极为集电极，基极与发射极的键合点位置见右图

★ 芯片厚度：230±10 (μm)

★ 划片道宽度：60μm